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存儲報價(jià)水漲船高，三星電子半導體部門(mén)和SK海力士上半年大賺一票。數據顯示，韓國五月份半導體出口創(chuàng )歷史新高。
根據韓國工商業(yè)能源部(MOCIE)公布數據，五月份半導體出口額來(lái)到76億美元，較去年同期跳增56%，主要歸功于DRAM與系統半導體出口強勁。
從半導體設備出貨數據判斷，國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )（SEMI）數據顯示，韓國今年第一季半導體設備采購額來(lái)到35.3億美元，較去年同期暴增110%，同時(shí)間中國臺灣成長(cháng)84%至34.8億美元。
中國大陸第一季度半導體體設備采購額來(lái)到20.1億美元，全球排名第三，但與去年第四季做比較，季增率達74%，位居是全球之首。北美、日本同期間分別成長(cháng)3%與19%，歐洲則是下滑1%。
整體來(lái)看，全球首季半導體設備出貨來(lái)到歷史新高的131億美元，較前季成長(cháng)14%、較去年同期成長(cháng)58%。但韓媒警告，當前的繁榮景象恐怕只是暫時(shí)性的，來(lái)自中國的隱憂(yōu)，恐讓韓國半導體業(yè)大受打擊。
南韓媒體Business Korea日前報導，UBS Securities今(2017)年2月就曾出言示警，聲稱(chēng)中國IT業(yè)者大舉建立庫存，是半導體報價(jià)去年大漲的主因，下半年DRAM、NAND型快閃存儲恐將嚴重過(guò)剩。 
仔細分析中國國家統計局的資料就可發(fā)現，在2015年1-8月期間，中國的半導體庫存從人民幣2,775億元一路上沖至歷史高3,330億元，隨后在2016年1月下滑至2,784億美元，直到2017年4月才反彈至3,305億元。然而，最近中國的半導體庫存年增率只有個(gè)位數、甚至負成長(cháng)，遠不如2015年的20-50%成長(cháng)率。也就是說(shuō)，目前中國IT企業(yè)并未大舉建立庫存。業(yè)界消息顯示，部分陸企今年第一季開(kāi)始減產(chǎn)、零組件訂單的縮減幅度也比往年還要高。
不只如此，DRAM、NAND型快閃存儲下半年的供應量勢將跳增，供需日益失衡。三星位于平澤市的新廠(chǎng)預定7月投產(chǎn)，SK海力士在利川的M14廠(chǎng)房則已開(kāi)始擴充產(chǎn)能。美光(Micron Technology)也在拉高DRAM、NAND型快閃存儲的產(chǎn)量，英特爾(Intel Corp.)則計劃在下半年生產(chǎn)NAND型快閃存儲。另外，紫光集團等中國半導體業(yè)者，也預定會(huì )在明年增添供給量。
先前就有報導直指，三星電子率先量產(chǎn)18納米DRAM，把同業(yè)拋在腦后。競爭對手美光和SK海力士則不甘示弱，紛紛砸錢(qián)要追上三星。
Nikkei Asian Review、BusinessKorea報導，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對手1~2年，2016年下半首先量產(chǎn)18納米DRAM，計畫(huà)今年下半推進(jìn)至15納米。IHS Markit估計，今年底為止，三星打算把18納米DRAM的生產(chǎn)比重，提高至30%。業(yè)界人士說(shuō)，三星會(huì )以利潤優(yōu)先，不會(huì )擴產(chǎn)搶市，打亂價(jià)格。
三星一馬當先，DRAM第三大廠(chǎng)美光拼命追趕，計畫(huà)未來(lái)兩三年砸下20億美元，研發(fā)13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠(chǎng)增設無(wú)塵室設備，并購買(mǎi)了多項高價(jià)生產(chǎn)儀器。進(jìn)入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM。
與此同時(shí)，SK海力士也準備在今年下半量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著(zhù)再投入行動(dòng)裝置用的18納米DRAM。SK海力士會(huì )優(yōu)先提高21納米制程良率，之后轉進(jìn)20納米、再轉向18納米。SK海力士人員透露，該公司正在研發(fā)1y DRAM制程，但是還不確定量產(chǎn)時(shí)間。
